住友ベークライト株式会社（本社：東京都品川区、代表取締役社長：鍜治屋 伸一）は、業界トップクラスの放熱性と絶縁性を兼ね備えた放熱絶縁シートを開発しました。本製品は、パワーモジュールに使用される従来のセラミック基板の代替を可能にし、株式会社デンソーの車載インバーター内パワーモジュールに使用される日 ...

東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

本セミナーの募集は終了いたしました。現在募集中のセミナーは、日経BPセミナーナビ（日経BPのセミナー総合サイト）からご覧いただけます。 このセミナーは会場にお越しいただく来場型セミナーです。 来場型セミナーでの感染症予防対策については ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、 熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～ 概要 当社は、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールにおいて、単位 ...

SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を 高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワー ...

三菱電機は、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)用モーターなどのインバータ駆動に用いられるxEV用パワー半導体モジュールとして、SiC-MOSFETやRC-IGBT(Si)素子を搭載した「J3-T-PM」を開発。2024年1月24日～26日にかけて東京ビッグサイトにて開催され ...

富士電機は、パワー半導体事業の強化に向けて、素子やモジュールの新技術開発を加速させている。現行製品に比べて損失を低減したシリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）のパワー素子を搭載したモジュール製品を2025年ごろから順次量産する予定だ。新たな ...

TI、新しいパワーモジュール向け磁気部品内蔵パッケージングテクノロジーを開発、電源ソリューションのサイズを半分に削減 MagPack(TM)テクノロジーを採用した新しいパワーモジュールは、前世代製品と比べて最大50%小型化され、優れた放熱特性を維持し ...

> ヴィテスコ・テクノロジーズは、パワーエレクトロニクスの拡張性とモジュール性を生かした革新的なパワーモジュールを開発 > オーバーモールド技術は、電気自動車のインバーターの心臓部を形成するモジュールの堅牢性を高める > e-モビリティに注力 ...