・1ケルビン以下の超極低温測定から低温半導体物理の新知見を獲得 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先端半導体研究センター 新原理シリコンデバイス研究チーム 岡 博史 主任研究員、浅井 栄大 主任研究員、森 貴洋 研究 ...

トランジスタのオフ状態からオン状態へのスイッチング特性は、サブスレッショルド係数（S係数）と呼ばれる性能パラメータで評価します。 一般に、低温にするとS係数の値が小さくなり、スイッチング特性はよくなります（図1左）。

北原 暁（東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 博士課程学生（研究当時）） 井川 光弘（東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 特任研究員） 松岡 悟志（東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 助教） 荒井 俊人（東京大学 大学院工学系 ...

Naoki Yokoyama (Leader), Shu Nakaharai (Specified Concentrated Research Specialist), and others, Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), the Nanoelectronics Research Institute ...

産業技術総合研究所(産総研)は、グラフェンの新しい電気伝導制御技術を開発したと発表した。同技術は、グラフェンに対してヘリウムイオン顕微鏡を用いてヘリウムイオンビームを照射し、人為的に低密度の結晶欠陥を導入することで、グラフェンの中の ...

次世代不揮発性メモリ・MRAMを高性能化できる「スピン・トランジスタ」の開発につながる新TMR素子を世界で初めて開発。Natureに発表した 独立行政法人の産業技術総合研究所（産総研）エレクトロニクス研究部門と、科学技術振興事業団（科技団）はこの ...

Infineon Technologiesは、低オン抵抗や容量性スイッチング損失の削減など、最新のスーパージャンクション(SJ)デバイスのメリットと、スイッチング動作の容易な制御を兼ね備えた、高性能パワーMOSFETの新シリーズ「650V CoolMOS C6/E6」の提供を開始したことを発表した ...

世界最高速、800GHzを超えるスイッチング性能を有するトランジスタを開発 ～IOWN・Beyond 5Gの世界の実現に向けたテラヘルツ帯集積回路の開発に道筋～ 日本電信電話株式会社（本社:東京都千代田区、代表取締役社長:澤田純、以下 NTT）は、インジウムリン（InP ...

東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻の北原 暁 大学院生（研究当時）、井川 光弘 特任研究員、松岡 悟志 助教、荒井 俊人 講師、長谷川 達生 教授らの研究グループは、ポリマー半導体による薄膜トランジスター（TFT）のスイッチングの鋭さと ...