Electronic Design

Between the Lines: The Next Frontier in 3D NAND Flash

Vertical scaling is vital to increasing the storage density of 3D NAND. According to imec, airgap integration and charge trap layer separation are the keys to unlocking it. Inside the charge trap cell ...
PC Watch

Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ

Micron Technologyが次世代(第4世代)の3D NANDフラッシュの開発では、現行世代(第3世代)まで採用していた浮遊ゲート(フローティングゲート)方式のメモリセルではなく、電荷捕獲(チャージトラップ)方式のメモリセルを採用することを明らかにした。2018年8月7日に ...
EDN

How far has 3D NAND flash come and what does the future hold?

There is a growing demand for higher-density NAND flash across the global storage market. For the time being, this demand has been satisfied through many developments, not only in the capabilities of ...
PC Watch

キオクシア、3D NANDフラッシュの記憶密度を2倍に高める ...

3D NANDフラッシュの行き過ぎた高層化による弊害 NANDフラッシュメモリ大手のキオクシアは、従来に比べて3D NANDフラッシュメモリの記憶密度を2倍に高めるアーキテクチャを開発し、メモリセルの試作結果を国際学会「IEDM」で2024年12月11日(米国時間)に発表した ...