2025年9月26日に、GlobaI Info Research（所在地：東京都中央区）は、「PVインバータIGBTの世界市場2025年：メーカー、地域別、タイプ、用途別、2031年までの予測」の最新調査レポートを発表しました。本レポートでは、PVインバータIGBT市場の動向を深く掘り下げ ...

1969年生まれ。慶応義塾大学卒業後、外務省入省。対パレスチナ日本政府代表事務所を経て2001～2008年、天皇陛下や首相の通訳を務める。在米国日本大使館、在エジプト日本大使館勤務、地球規模課題分野別交渉官などを経て2020年7月退職。2020年8月より現職。

東日本旅客鉄道株式会社（以下、JR東日本）と三菱電機株式会社（以下、三菱電機）は、鉄道車両のさらなる機能・品質向上や、省エネ化によるゼロカーボン・チャレンジ2050の達成に向けた取り組みとして、三菱電機で開発を進めている小型軽量化 ...

IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は、パワー半導体素子（以下、パワー素子）の1種である。Si（シリコン）材料を使って製造するのが一般的だ。パワー半導体市場では、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などの次世代パワー半導体が注目さ ...

2024年における太陽光発電用インバーターの世界市場規模は、5829百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）0.2%で成長し、2031年までに5910百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 太陽光発電用 ...

ICeGaN HEMTとIGBTを並列に組み合わせることにより、低コストと高効率を両立 エネルギー効率の高いGaNベースのパワー・デバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices（CGD）は市場 ...