为什么 IBM推出7nm工艺新型芯片要使用锗硅材料？ - 知乎
然后说一下 SiGe工艺的概念：SiGe工艺（应变硅），是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的Ge形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管特性的一种硅基工 …
semiconductors - What is silicon germanium (SiGe)? - Electrical ...
Sep 25, 2013 · I've heard that SiGe chips can be faster than ordinary silicon chips. What is SiGe and why is it faster than ordinary silicon?
GAA环栅晶体管中悬空的硅通道是怎么做出来的？ - 知乎
GAAFET和MBCFET中的硅通道都是悬空的，既然单晶硅基底是通过定向生长实现的，无法在芯片制造过程中悬空生…
半导体的直接带隙和间接带隙区别是什么？ - 知乎
Mar 28, 2025 · 半导体的直接带隙和间接带隙是根据其能带结构中导带（导带底）和价带（价带顶）在动量空间（k空间）中的位置关系划分的两种类型。 换句话说，是描述电子在导带和价带 …
Sige 3500 / 3510 Allrad-Vorderachse überholen - 06er und 07er Serie
Sep 21, 2012 · Diskutiere Sige 3500 / 3510 Allrad-Vorderachse überholen - 06er und 07er Serie im Forum D06-Serie im Bereich Deutz / Deutz-Fahr Schlepper - Hallo, ich bin gerade dabei meine …
Agrostar SIGE 030 AN 10 - deutzforum.de
Nov 18, 2024 · Diskutiere Agrostar SIGE 030 AN 10 im Forum AgroStar, AgroXtra und AgroPrima im Bereich Deutz / Deutz-Fahr Schlepper - Hallo Deutzfreunde. Ich bin begeisterter Forumsleser …
SiGe工艺Fab厂有哪些呀？ - 知乎
Jun 28, 2021 · SIGE大概是28nm以上用到的，所以28nm以上先进制程的fab厂都有这个工艺。
5nm finfet工艺流程是怎样的? - 知乎
FinFET工艺制程技术采用外延生长技术嵌入SiGe和SiC应变材料，并进行源和漏掺杂，同时使源和漏有源区凸起增加有源区的厚度和表面积，从而可以形成更厚的Salicide，减小22nm工艺制程 …
D 8006 A Spezial - Sige Allradachse undicht
Aug 27, 2007 · Diskutiere D 8006 A Spezial - Sige Allradachse undicht im Forum D06-Serie im Bereich Deutz / Deutz-Fahr Schlepper - Hallo Deutz-Fans, ich habe mal wieder ein neues …
Sige 5200 zerlegen/überholen - Deutz Forum
Jun 24, 2023 · Diskutiere Sige 5200 zerlegen/überholen im Forum D06-Serie im Bereich Deutz / Deutz-Fahr Schlepper - Guten Tag Habe mir vor einem halben Jahr ein Deutz D100 06 gekauft. …
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